Предназначен для исследования рельефа поверхности объектов в твердой фазе и определения количественного и качественного элементного состава объектов

МИКРОСКОП
РАСТРОВЫЙ
ЭЛЕКТРОННЫЙ
С КАМЕРОЙ НИЗКОГО ВАКУУМА
РЭМ-106

Предназначен для исследования рельефа поверхности объектов в твердой фазе и определения количественного и качественного элементного состава объектов методом рентгеновского микроанализа по энергиям квантов характеристического рентгеновского излучения в двух режимах: высокого вакуума и низкого вакуума в камере объектов.
Микроскоп обеспечивает получение изображения поверхности объекта во вторичных и отраженных электронах в режиме высокого вакуума, изображение в отраженных электронах в режиме низкого регулируемого вакуума, рентгеновский экспресс-анализ с помощью спектрометра энергетической дисперсии. Микроскоп обеспечивает исследование непроводящих объектов без специальной пробоподготовки.

Отличительная особенность РЭМ-106 — высококачественное электронно-оптическое изображение поверхности проводящих и диэлектрических объектов: полупроводников, изделий электроники, керамики, полимеров, стекла, дерева, красок и других — без специального приготовления в режимах вторичных и отраженных электронов. Микроскоп обеспечивает исследование в режимах высокого и регулируемого низкого вакуума.

ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ РЭМ-106:
Материаловедение и металловедение
— создание новых материалов с заданными свойствами, изучение их разломов, дефектов в микроструктуре, изучение микроструктуры;
— прогнозирование прочностных и эксплуатационных характеристик металлов и сплавов, определение связи между свойствами вещества и особенностями его состава;
— изучение и создание материалов в области сверхпроводимости.
Металлургия
— определение свойств и характеристик сплавов, сертификация материалов;
— исследование свойств материалов порошковой металлургии в процессе их производства.
Атомная промышленность и энергетика
— исследование конструкционных материалов атомных реакторов;
— исследование экологических воздействий атомной промышленности на окру-жающую среду;
— создание новых видов топлива.
Авиастроение
— создание жаропрочных материалов, исследование процессов износа лопастей турбин авиадвигателей и их защищающих покрытий.
Физика твердого тела
— изучение характеристик твердого тела, разработка стеклокерамики;
— физика получения тонких пленок;
— создание и исследование без напылений металло-керамических соединений, материалов световолоконной оптики, материалов бумажной, промышленно-сти.
Микроэлектроника
— диагностика отказов изделий микроэлектроники на различных этапах изготов-ления непосредственно в технологическом процессе, оптимизация техпроцес-сов;
— разработка и создание сверхбольших интегральных микросхем (СБИС);
— высоколокальный и всесторонний анализ электрофизических, физико-химических характеристик полупроводниковых изделий;
— изучение дефектов изопланарной структуры СБИС, качества диэлектрических покрытий и проводящих дорожек.
Химическая промышленность
— создание новых материалов, полимеров, красок и их изучение без напыления;
— контроль качества при изготовлении минеральных удобрений, химических во-локон, пластмасс.
Геология
— изучение топографии и контраста минералов по атомному номеру;
— выявление кристаллических структур в природных рудах;
— исследование химического состава руд полезных ископаемых;
— определение структур и свойств минералов.
Биология и медицина
— определение качественного и количественного состава крови, клеток, костей;
— изучение поверхности отдельных органов, клеток;
— изучение органов и их частей в живых организмах (нервные узлы, кожный и волосяной покров и др. );
— изучение вирусов;
— изучение вопросов наследственности, решение проблем СПИДа.
Текстильная и пищевая промышленность
— исследование полимерных волокон, бумаги, ткани, волокон;
— анализ состава и качества материалов пищевой промышленности.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ

Наименование параметра Величина
Разрешение, нм: в режиме высокого вакуума (ВЭ),
в режиме низкого вакуума (ОЭ) 4
6
Диапазон регулирования давления в камере в Н/В режиме, Па 1-270
Диапазон регулирования ускоряющего напряжения, кВ 0,2-30
Диапазон регулирования увеличений, крат 15-300000
Диапазон анализируемых элементов:
 в режиме высокого вакуума,
 в режиме низкого вакуума
5B – 92U
12Mg – 92U
Разрешение ЭДС, эВ 143